培育鉆石的問世，使得鉆石的價格大幅下降，什么是培育鉆石？它是指人工模擬天然金剛石結(jié)晶條件和生長環(huán)境采用科學(xué)方法合成出來的金剛石晶體，又可稱為人工鉆石、合成鉆石。2021 年 3月，國家珠寶玉石質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心 (NGTC)推出實驗室培育鉆石鑲嵌首飾證書。這說明了培育鉆石的質(zhì)量已經(jīng)可以達到自然鉆石的水準了，甚至通過化學(xué)氣相沉積法（CVD）制作出來的人工鉆石純凈度比自然鉆石還要高，但價格只需天然鉆石的20%。

這價格都這樣了，還一顆永流傳嗎？算了吧，鉆石也就是一種材料而已，不要把它神化了。但是，小編在這里要跟大家說的是，培育鉆石的想象空間。或許這將是未來10年很不錯的投資方向，為什么？請讓我細細道來。

        一、短期：鉆石市場需求穩(wěn)健上升。印度是全球鉆石的主要加工地，其進出口數(shù)據(jù)一定 程度上反映了鉆石的供需格局，雖然目前培育鉆石的滲透率依然較低，但近幾年呈現(xiàn)明顯的提升態(tài)勢，隨著需求的快速爆發(fā)，培育鉆石的滲透率還將繼續(xù)提升。其較高的性價比可以使得培育鉆石迅速占領(lǐng)市場。

       二、中期：鉆石不再只是奢侈品和首飾的代言詞，它具備優(yōu)異的聲、光、電、磁、熱等特殊性能，可作為超導(dǎo)材料、光功能材料、磁功能材料、生物醫(yī)藥材料、功能膜等應(yīng)用于電子電器、高端裝備制造、航空航天、醫(yī)療檢測及治療等高科技領(lǐng)域。隨著培育鉆石工藝越發(fā)成熟，產(chǎn)品價格也會一降再降。預(yù)計2025年可以達到天然鉆石的10%，那么在工業(yè)和高科技領(lǐng)域的應(yīng)用則會呈現(xiàn)出井噴式的增長。

       1、金剛石單晶在建材石材領(lǐng)域需求穩(wěn)步增加，建材石材類產(chǎn)品跟基建投資及房地產(chǎn) 開發(fā)投資關(guān)聯(lián)密切。2020 年以來我國基建和房地產(chǎn)投資保持高速增長趨勢，2020下半年超硬刀具類產(chǎn)品受益于出口訂單旺盛，金剛石單晶產(chǎn)品出現(xiàn)供不應(yīng)求，導(dǎo)致價格上漲，促進國內(nèi)金 剛石單晶類產(chǎn)品進入新一輪增長；

       2、勘探采掘領(lǐng)域單晶需求提升，金剛石大單晶因在堅硬巖層中效率大幅高于其他產(chǎn)品， 因此在深部探礦中應(yīng)用廣泛。隨著勘探深度和難度的增加，金剛石單晶鉆的經(jīng)濟優(yōu)將進一步彰顯出來，具有廣闊前景；

      3、機械制造產(chǎn)業(yè)升級帶動金剛石微粉需求不斷增加。機械、汽車制造、家電制造等 告 細分行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級帶動了對高端金剛石工具的需求。光伏和 LED 領(lǐng)域快速發(fā)展帶動金剛石微粉需求高增。光伏發(fā)電和 LED 照明所用 單晶硅、多晶硅、藍寶石以及其他光電磁性材料的切割加工是金剛石微粉應(yīng)用需求增量最大的領(lǐng)域。

三、長期：培育鉆石將進軍半導(dǎo)體、FED等高端領(lǐng)域。

       1、自20世紀50年代開始，以硅(Si)、鍺(Ge)為主的第一代半導(dǎo)體材料使用至今已有70余年，時至今日，仍有95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路由硅材料制作，但因硅自身的物理性質(zhì)缺陷，限制了其在高頻功率器件上的應(yīng)用。而以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料雖然在二十世紀末風靡一時，但因其價格昂貴，且具有毒性，使得其應(yīng)用受到很大的局限性。現(xiàn)如今，以金剛石、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為主的具有超寬帶隙特性的第三代半導(dǎo)體材料已成為國際競爭的熱點。三代半導(dǎo)體材料性質(zhì)對比如下：

由以上數(shù)據(jù)可以看出，作為第三代半導(dǎo)體材料中的佼佼者，金剛石材料具備高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高載流子遷移率、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等優(yōu)異的特性，滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高壓、高功率、高頻率以及抗輻射等惡劣條件的要求，已是業(yè)界公認的“終極半導(dǎo)體材料”

       2、由于單晶金剛石材料在光學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)等方面表現(xiàn)出的優(yōu)異特性，采用單晶金剛石材料制作冷陰極場發(fā)射顯示器（FED）已成為各大屏幕生產(chǎn)企業(yè)研發(fā)的重點。FED是一種自發(fā)光型平板顯示器，在繼承其他顯示器優(yōu)點的前提下，完美摒棄了其缺點。首先FED由數(shù)十萬個冷發(fā)射子組成，在亮度、灰度、色彩、分辨率和響應(yīng)速度方面均表現(xiàn)優(yōu)異；其次，F(xiàn)ED顯示器核心部件的冷發(fā)射陰極到陽極的距離僅為100μm，完全符合現(xiàn)在超薄顯示器發(fā)展規(guī)律；另外FED采用冷陰極電子源,具有功耗低、自發(fā)光、工作環(huán)境溫度范圍寬等優(yōu)點，工作電壓僅為1kV。隨著MPCVD生產(chǎn)金剛石材料的技術(shù)不斷成熟，F(xiàn)ED統(tǒng)領(lǐng)顯示器市場必將指日可待。